アクティブアノードはロータリーマグネトロンのプラズマに安定したアノードを提供し、寄生プラズマ、プロセス変動、均一性の低下、プロセスの不安定化等の現象を防ぐことができます。アノードはプレーナマグネトロンの様にスパッタリングターゲットの近傍に位置し、磁場フィールドと相互作用するのが理想的と言えます。
アクティブアノードには磁石が内蔵されており、ロータリーマグネトロンの磁場とリンクしプラズマ中の電子を100%捕捉することが可能です。これにより安定したプラズマ制御が可能となり、さらにはガス導入と組み合わせることでイオン衝撃等の二次的効果も活用することが可能です。
アクティブアノードを2つのロータリーマグネトロンの間に設置
アクティブアノードの磁場モデル
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アクティブアノードのプラズマ
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アクティブアノードによる基板温度・抵抗値降下
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反応性デュアルマグネトロンと接地アクティブアノード - パルスイオンアシスト
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