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リニアイオンソース特徴
- 成膜前の基板プラズマ処理に最適
- 逆マグネトロンタイプイオンソース
- 最適な磁場設計によりスパッタ圧力でのプラズマ処理が可能
- アノード・カソードにグラファイトを使用し、コンタミを低減
- RF設計を基本とした高い絶縁性能
- 間接冷却方式でパーツ交換が容易な設計
- 整流電源とガス流量のフィードバック制御で常時一定電流を維持
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イオンソース動作範囲
- 標準電流：ソース長さ1メートルあたり 0.5A（最大 1A）
- 標準ガス流量：ソース長さ1メートルあたり 25~100sccm （Ar）
- アルゴンと酸素の混合ガスを使用を推奨
ガラス基板へのプラズマ処理有無の結果比較
SEM（操作型電子顕微鏡）による表面分析画像比較、成膜後に分析。リニアイオンソースで1パスプラズマ処理を行った物と行っていない物の比較。プラズマ処理されていない場合では小さな泡状の物が発生（5mm）
プラズマ前処理無し成膜表面
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プラズマ前処理後の成膜表面
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エッチングレート時例
ポリマー
シリコン：〜20Å / パス
アクリル樹脂：〜38Å / パス
- 使用ガス：O2
- イオンソース：IM400
- 電流値：200mA ビーム ＠1.5kV
- 基板速度：600mm/min
金属
チタン（Ti）：0.5 ~ 1 Å / パス
- 170mA ＠1.8kV
酸化物
酸化シリコン：5nm / min スタティック
- 使用ガス：Ar
- イオンソース：IM600
- 電流値：300mA ビーム ＠1.6kV
- 基板速度：スタティック、トータル23分、直径8mmの範囲
イオンソース電源
電源仕様
- 出力電圧：最大2500V（点火時は3000V）
- 出力電流：1A ＠2000V、ショートサーキット2.5A
- 出力電力：4000W ＠2000V
- 出力極性：正電位
- 整流モード：電流 0〜２.5A
- 出力コネクタ：フィッシャー105、定格10kV（RG213）
- 主電源：3相400Vac、±10％ 50Hz（L1, L2, L3 PE）
- 寸法：標準19インチラック、4U＝177mm高さ
- 重量：約12kg
- 動作温度範囲：15-35℃
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イオンソース・電源・ガスの接続 - フィードバック制御でビーム安定化
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研究開発向け小型イオンソース
- コンパクトデザイン
- 自己中和プラズマ - 基板表面帯電なし
- 可変プラズマエネルギー
- 自動ガスフィードバック制御（IM300電源）
- RFエッチングの代替品として使用可能
- イオンアシスタンス・パターニング・プリクリーニング・成膜除去・PECVD
